semi-conducteurs

COURS TRANSISTOR MOS TGEL (Métal, Oxyde, Semis conducteur ) TRANSISTOR MOS.doc 12/02/2002 BUTS ET OBJECTIFS o Utilisation simple, en commutation et en basses fréquences d'un transistor MOS PREREQUIS : o o o o Lois générales de l'électricité. Notions d'électrostatique ( condensateur ). Cours sur le transistor bipolaire. Notion de résistance thermique ( pour la dernière question de l'exercice seulement ) Durée approximative de l'étude : Chapitre 1 Chapitre 2 Chapitre 3 Chapitre 4 et 5 : : : : 1/2H 1/4H 1/4H 1H SOMMAIRE 1.) CONSTITUTION ______________________________________________________ 2 1.1.) Notion de dopage ________________________________________________________ 2 1.2.) Constitution simplifiée d'un transistor MOS canal N___________________________ 3 2.) CARACTERISTIQUES PRINCIPALES ___________________________________ 4 3.) EXPLOITATION DE FICHES TECHNIQUES ET SYMBOLE ________________ 5 4.) EXERCICE ( Commande de moteur ): _____________________________________ 7 5.) SOLUTION DE L'EXERCICE ___________________________________________ 8 TRANSISTOR MOS.doc 15/09/2002 Auteur : HANNEQUIN Page 1 sur 8 1.) CONSTITUTION 1.1.) NOTION DE DOPAGE En électronique nous utilisons principalement du silicium sous forme cristalline. Dans ce cristal chaque atome partage les électrons de sa couche périphérique ( couche de valence ) avec ses voisins. Ceci a pour conséquence de la compléter, ce qui implique une mauvaise conduction du courant électrique ( les électrons ont du mal se déplacer ). électron noyau Pour faciliter la conduction on peu, introduire des atomes d'un matériau possédant 5 électrons sur sa couche périphérique, l'électron excédentaire sera mobile et pourra se déplacer facilement. Dans ce cas le cristal sera dopé de type N. On peu également introduire des atomes d'un matériau ne possédant que 3 électrons sur sa couche périphérique, l'électron manquant fera un trou dans la structure pouvant accepter temporairement un électron. Dans ce cas le cristal sera dopé de type P. Une diode est la juxtaposition d'une zone dopée N avec une zone dopée P. Zone N TRANSISTOR MOS.doc 15/09/2002 Auteur : HANNEQUIN Zone P Page 2 sur 8 1.2.) CONSTITUTION SIMPLIFIEE D'UN TRANSISTOR MOS CANAL N Dans un semis conducteur dopé P sont créés deux zones ( caissons ) dopés N. Une métallisation est crées sur chacun constituant ainsi les broches appelées respectivement Drain et Source. Une troisième broche est crée, la Gate ou Grille qui sera s&ea...